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标准包装 | 1,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 600V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 10.5A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 700 mOhm @ 5.3A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 54nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1900pF @ 25V |
功率 - 最大 | 3.13W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
供应商器件封装 | I2PAK |
包装材料 | Tube |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 10.5A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 5V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 600V |
标准包装 | 1,000 |
供应商设备封装 | I2PAK |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 700 mOhm @ 5.3A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 3.13W |
封装/外壳 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 1900pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 54nC @ 10V |
工厂包装数量 | 50 |
配置 | Single |
晶体管极性 | N-Channel |
最低工作温度 | - 55 C |
源极击穿电压 | +/- 30 V |
连续漏极电流 | 10.5 A |
单位重量 | 0.054004 oz |
RDS(ON) | 700 mOhms |
功率耗散 | 3.13 W |
安装风格 | SMD/SMT |
典型关闭延迟时间 | 95 ns |
上升时间 | 115 ns |
最高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | 600 V |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 85 ns |
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